利用等离子体刻蚀技术 硅垂直通道蚀刻效率提高100%

最近，利用来自Lam Research、等离科罗拉多大学博尔德分校、体刻通道提高美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的蚀技术硅蚀刻科学家们合作设计了一种新的蚀刻工艺。该方法使用氟化氢等离子体，垂直将硅材料垂直通道的效率蚀刻效率提高了100%。只需要1分钟即可完成640纳米的利用蚀刻过程。

这一创新的等离关键在于，在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔，体刻通道提高并将分层材料暴露在等离子体形式的蚀技术硅蚀刻化学物质中。让等离子体中的垂直原子与分层材料中的原子相互作用，从而生成孔洞通道。效率

研究还发现，利用结合三氟化磷等特定化学材料可以进一步改进蚀刻工艺。等离然而，体刻通道提高需要注意到的是，在某些情况下，一些副产品可能会影响蚀刻效率。但只需加入适量的水就可以解决这个问题。例如，在低温下加入水可以让盐分解，并加速整个过程。

这些研究成果有望为3D NAND闪存技术提供更加先进的制造工艺和更高的存储密度。同时，这些创新也将降低成本并提高数据传输速度。未来，我们可以期待更多关于存储单元堆叠技术的研究成果和应用进展。

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